本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

　　公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证季度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人（会计主管人员）保证季度报告中财务信息的真实、准确、完整。

　　注：中国证券监督管理委员会于2023年颁布了《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益（2023年修订）》，该规定自公布之日起施行。公司按照规定编制了2023年度非经常性损益明细表，2023年各季度非经常性损益数据已相应重列。

　　对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。

　　本期发生同一控制下企业合并的，被合并方在合并前实现的净利润为：0元，上期被合并方实现的净利润为：0元。

　　1本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到网站仔细阅读年度报告全文。

　　公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。

　　3本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以截至2023年12月31日总股本400,010,000股为基数，公司拟向全体股东每10股以资本公积转增4.9股，不送红股。本次拟转增196,004,900股，转增后公司总股本为596,014,900股。

　　如在公司2023年年度利润分配及资本公积金转增股本预案的公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因回购股份、股权激励授予股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持每股转增比例不变，相应调整转增总额。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。

　　国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。

　　国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。

　　T/R组件是指在雷达或通信系统中用于接收、发射一定频率的电磁波信号，并在工作带宽内进行幅度相位控制的功能模块，是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、信号收发放大的核心组件。整个雷达系统由成百上千个辐射器按照一定的排布构成，每个辐射器后端均连接一个单独有源相控阵T/R组件，在波束形成器的控制下，对信号幅度和相位进行加权控制，最终实现波束在空间的扫描。因此，有源相控阵T/R组件的性能参数直接决定相控阵雷达系统的作用距离、空间分辨率、接收灵敏度等关键参数。此外，有源相控阵雷达需要数量众多的T/R组件共同构成有源相控阵阵面，有源相控阵T/R组件的性能也进一步决定了有源相控阵雷达系统的体积、重量、成本和功耗。

　　根据雷达的不同工作环境和不同的性能要求，有源相控阵T/R组件的构成形式不尽相同，但其基本结构一致，主要由数控移相器、数控衰减器、功率放大器、低噪声放大器、限幅器、环形器以及相应的控制电路、电源调制电路组成。典型的有源相控阵T/R组件工作原理示意图如下图所示：

　　在射频模块领域，国博电子相关产品主要包括大功率控制模块和大功率放大模块，产品覆盖多个频段，主要应用于移动通信基站等领域。移动通信基站系统结构如下：

　　大功率控制模块是大功率移动通信系统信号发射和接收时信号控制的一个重要器件，对系统的性能有直接影响，通常位于通信系统的最前端，用于实现信号收发间的切换。大功率放大模块的功能是实现基站发射链路的信号功率放大，与功率控制模块共同组成了基站发射链路射频的最前端。大功率放大模块对整个基站发射信号质量、效率、功耗等一系列性能产生决定性的影响，是基站射频系统中关键的射频器件。

　　国博电子的GaN射频模块完整产品系列覆盖DC-10GHz，主要应用于4G、5G基站设备中，并积极布局6G移动通信应用，是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。公司推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。

　　公司射频放大类芯片产品主要包括低噪声放大器（Low-NoiseAmplifier，简称LNA）和功率放大器（PowerAmplifier，简称PA）。低噪声放大器一般用于实现接收通道的射频信号放大，处于接收链路的前端，低噪声放大器的性能对整个通信设备的信噪比等指标至关重要。功率放大器的作用是对发射通道的射频信号进行放大，是无线通信设备射频的核心组成部分，影响整个无线通信设备发射性能、系统功耗等重要指标。

　　公司射频控制类芯片产品主要包括射频开关和数控衰减器。射频开关是指可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件，用于信号切换到不同的信号通路中去。数控衰减器主要用来控制微波信号幅度，实现对信号的定量衰减，通过数控衰减器调整射频链路的信号幅值，能够保证信号处在合适的电平上，从而防止发生过载、增益压缩和失真。

　　国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，具备满足不同平台、不同需求的提供射频系统集成解决方案的能力，拥有完整的研发、采购、生产、销售及服务体系。

　　T/R组件和射频模块领域，公司主要负责芯片设计，组件和模块的设计、制造以及测试，晶圆和芯片的生产、封装一般委托第三方厂商或机构完成。射频芯片领域，公司采用Fabless模式负责射频芯片的设计和质量把控，芯片的生产、封装、测试工作一般委托第三方厂商或机构完成。公司建立了热学、力学、电学、结构设计、版图设计等多个纵向专业，形成具备灵活性和流动性的矩阵式项目结构和组织分层、执行并肩的组织结构体系，依照客户需求开展产品研发、制造和交付。

　　公司建立了完备的采购控制程序和质量管理体系，建立了合格供应商名录；公司建立了较为完善的营销体系，与主要客户建立了稳定的合作关系，积极跟踪客户需求，依托自身的技术实力研发符合客户需求的产品。

　　国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引》（2012年10月修订），国博电子有源相控阵T/R组件和射频模块所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（分类代码C39），射频芯片所处行业为“软件和信息技术服务业”（分类代码I65）。根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司有源相控阵T/R组件和射频模块所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”，射频芯片所处行业为“I65软件和信息技术服务业”。

　　集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了60多年的发展，如今已成为世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。

　　集成电路行业主要包括集成电路设计业、集成电路制造业、集成电路封装和测试业以及集成电路加工设备制造业、集成电路材料业等子行业。集成电路企业往往具有人才密集、技术密集、资本密集等特点，对企业的研发水平、技术积累、研发投入、资金实力和产业链整合能力有较高要求。根据集成电路设计企业是否拥有集成电路生产、封装及测试生产线，集成电路企业主要可分为IDM模式、Fabless模式。

　　从信号分类上来看，集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路，其中模拟集成电路用于处理模拟信号（如温度、声音），数字集成电路用于处理数字信号（如0、1），与数字集成电路相比，模拟集成电路具有设计门槛高、制程要求不高、种类繁杂和生命周期长等特点。模拟集成电路的下游市场应用非常广泛，广泛应用于通信、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

　　报告期内，国博电子是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平。

　　公司紧密结合国家战略新兴产业政策导向和市场需求，坚持创新驱动、产融结合发展道路，建立了以化合物半导体芯片为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖芯片、模块、组件。芯片和模块方面，公司立足于国内移动通信市场，依托自身的研发实力和丰富的射频集成电路系列产品行业经验，形成了系列化的射频集成电路产品，是国内移动通信基站射频器件核心供应商。同时，公司积极开拓终端领域，多款终端用射频芯片产品已经开始向业内知名终端厂商批量供货。组件方面，公司研制了数百款有源相控阵T/R组件，产品市场占有率保持国内领先地位，除整机用户内部配套外，是国内面向各整机单位销量最大的有源相控阵T/R组件平台。

　　随着有源相控阵技术在各类无线通信等先进技术的发展，无线电子信息系统的功能越发复杂，单位载荷的功能密度需求大幅提高，多功能、多模式、高密度集成化逐渐成为了新一代先进系统的发展方向，这也将给小型化与轻量化T/R组件带来巨大需求，微波毫米波异构集成、三维堆叠、封装型天线、片上天线等新型高密度集成技术将进一步推动有源相控阵技术发展。

　　与传统的硅材料半导体相比，以GaN为代表的第三代化合物半导体具有宽禁带、高击穿场强、高电子饱和速度、高热导率、低噪声、性能稳定等显著特点，能够满足5G、5.5G通信以及毫米波相控阵雷达的应用要求。微波毫米波异构集成、三维堆叠等技术能够将GaAS、GaN等化合物有源器件和高性能集成无源器件、硅基数模混合电路，通过异质生长或异质键合等方式，大幅提升电路性能和集成密度，充分发挥各器件的成本优势和材料特性优势，极大改善有源相控阵技术的尺寸、重量和性能，实现小型化、轻量化、多功能的技术发展目标。

　　数字相控阵阵列雷达是根据波束成形机理、接收和发射波束均以数字方式形成的全数字化阵列天线雷达。数字化阵列通过为每个相控阵通道单元或模块配备等量的射频直采ADC/DAC，简化了射频通道（射频通道仅需完成信号的收发放大，实现高效率、大功率、低噪声功能）。对于模拟阵列，其在接收模式时，来自天线元件的信号经过加权合并，产生一个波束，然后由混频器和信号链其余部分加以处理，整个模拟阵的主信号需一路下变频和ADC通道；，对于数字化阵列，每个射频通道的信号都被独立的数字化，需要为每个射频通道各配备一个ADC和一个混频器。

　　数字相控阵能够实现海量多波束空间合成，具有波束快速扫描、空间定向与空域滤波、空间功率合成能力等优点，可实现多目标探测和跟踪，可根据任务规划实现多目标多点侦查、干扰、探测、通信一体化实现。基于上述特点，数字化阵列成为相控阵雷达系统发展的重要方向，尤其以高速ADC为核心的直采数字化阵列具有重大前景。

　　伴随着5G网络商业化部署不断推。